2.3eV),主要以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石、氮化鋁(AlN)為主。第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的熱導(dǎo)率和擊穿電場(chǎng)、更高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力,在電力電子、微波射頻和光電子三大領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景。隨著SiC和GaN器件制作工藝..">
創(chuàng)立于2013年,位于江蘇省鎮(zhèn)江市寶華長(zhǎng)三角總部經(jīng)濟(jì)園,是由南京大學(xué)長(zhǎng)江學(xué)者、留美歸國(guó)博士和南京大學(xué)團(tuán)隊(duì)共同創(chuàng)辦的高新技術(shù)企業(yè),專業(yè)研發(fā)和生產(chǎn)新一代的高靈敏度紫外探測(cè)器件與應(yīng)用模塊,并提供與紫外探測(cè)相關(guān)的技術(shù)咨詢與服務(wù)。家芯光電團(tuán)隊(duì)具備強(qiáng)大的技術(shù)研發(fā)能力,有著豐富的半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)制造及管理經(jīng)驗(yàn),以開(kāi)發(fā)國(guó)際上性能的紫外探測(cè)器件為使命,為高靈敏度紫外探測(cè)提供完美的解決方案。
