2.3eV),主要以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石、氮化鋁(AlN)為主。第三代半導體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的熱導率和擊穿電場、更高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力,在電力電子、微波射頻和光電子三大領域有著廣闊的應用前景。隨著SiC和GaN..">

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  • 作者:鎮(zhèn)江鎵芯光電科技有限公司 2018-04-09 21:21 641
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    創(chuàng)立于2013年,位于江蘇省鎮(zhèn)江市寶華長三角總部經濟園,是由南京大學長江學者、留美歸國博士和南京大學團隊共同創(chuàng)辦的高新技術企業(yè),專業(yè)研發(fā)和生產新一代的高靈敏度紫外探測器件與應用模塊,并提供與紫外探測相關的技術咨詢與服務。家芯光電團隊具備強大的技術研發(fā)能力,有著豐富的半導體器件設計制造及管理經驗,以開發(fā)國際上性能的紫外探測器件為使命,為高靈敏度紫外探測提供完美的解決方案。


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